美国 KRi 射频离子源 RFICP

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伯东企业（上海）有限公司

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德国 Pfeiffer 真空设备 , 美国 KRi 考夫曼离子源 , 美国 HVA 真空闸阀

经营模式：

经销批发

所在地区：

上海浦东新区

公司地址：

上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室

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Stratasys 3D打印机 inTEST热流仪 HVA阀门美国 KRI 离子源氦质谱检漏仪普发真空泵

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产品品牌：

产品型号：RFICP

产品规格：RF射频离子源

产品详情

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

上海伯东美国 KRi RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! RFICP 系列提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等. RFICP 系列技术参数:

型号
Discharge 阳极	RF 射频	RF 射频	RF 射频	RF 射频	RF 射频
离子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	22 cm Φ	38 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
长度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直径	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000 or RFN

RFICP 系列应用: 离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation ) 离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation ) 表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation ) 离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material) 离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures) 离子溅射镀膜上海伯东美国考夫曼 KRi 大口径 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸离子束刻蚀机, 作为蚀刻机的核心部件, 提供大尺寸, 高能量, 低浓度的离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!

KRI 射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产, 和. 美国历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国中国总代理. 若您需要进一步的了解 , 请联络上海伯东叶女士 13918837267 上海伯东版权所有, 翻拷必究！