美国 KRi 射频离子源 RFICP 140

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德国 Pfeiffer 真空设备 , 美国 KRi 考夫曼离子源 , 美国 HVA 真空闸阀

经营模式：

经销批发

所在地区：

上海浦东新区

公司地址：

上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室

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Stratasys 3D打印机 inTEST热流仪 HVA阀门美国 KRI 离子源氦质谱检漏仪普发真空泵

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产品型号：RFICP 140

产品规格：RFICP 140

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上海伯东代理美国原装进口 KRI RFICP 140 是一款紧凑的有栅极, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中， RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出最大 600 mA 离子流. 射频离子源 RFICP140

KRI RFICP 140 技术参数:

阳极	电感耦合等离子体 1kW & 1.8 MHz 射频自动匹配
最大阳极功率	1kW
最大离子束流	> 500mA
电压范围	100-1200V
离子束动能	100-1200eV
气体	Ar, O2, N2,其他
流量	5-40sccm
压力	< 0.5mTorr
离子光学, 自对准	OptiBeamTM
离子束栅极	14cm Φ
栅极材质	钼, 石墨
离子束流形状	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000 or RFN
高度	25.1 cm
直径	24.6 cm
锁紧安装法兰	12”CF

KRI RFICP 140 应用领域： 预清洗表面改性辅助镀膜(光学镀膜)IBAD, 溅镀和蒸发镀膜 PC 离子溅射沉积和多层结构 IBSD 离子蚀刻 IBE 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产, 和. 美国历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国中国总代理. 若您需要进一步的了解 , 请联络伯东: 叶小姐 1391-883-7267 上海伯东版权所有, 翻拷必究！

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