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美国 KRi 射频离子源 RFICP 140

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伯东企业(上海)有限公司
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已认证
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已核验
经营模式:
经销批发
所在地区:
上海 浦东新区
公司地址:
上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室
参数规则
产品品牌:
产品型号:RFICP 140
产品规格:RFICP 140
产品详情

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

上海伯东代理美国原装进口 KRI RFICP 140 是一款紧凑的有栅极, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中, RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出最大 600 mA 离子流. 射频离子源 RFICP140

KRI RFICP 140 技术参数:

阳极

电感耦合等离子体 1kW & 1.8 MHz 射频自动匹配

最大阳极功率

1kW

最大离子束流

> 500mA

电压范围

100-1200V

离子束动能

100-1200eV

气体

Ar, O2, N2,其他

流量

5-40sccm

压力

< 0.5mTorr

离子光学, 自对准

OptiBeamTM

离子束栅极

14cm Φ

栅极材质

钼, 石墨

离子束流形状

平行,聚焦,散射

中和器

LFN 2000 or RFN

高度

25.1 cm

直径

24.6 cm

锁紧安装法兰

12”CF

KRI RFICP 140 应用领域: 预清洗 表面改性 辅助镀膜(光学镀膜)IBAD, 溅镀和蒸发镀膜 PC 离子溅射沉积和多层结构 IBSD 离子蚀刻 IBE 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产, 和. 美国历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国中国总代理. 若您需要进一步的了解 , 请联络 伯东: 叶小姐 1391-883-7267 上海伯东版权所有, 翻拷必究!

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