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美国 KRi 射频离子源 RFICP 100

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伯东企业(上海)有限公司
国联会员第2年
经营执照:
已认证
真实性:
已核验
经营模式:
经销批发
所在地区:
上海 浦东新区
公司地址:
上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室
参数规则
产品品牌:
产品型号:RFICP 100
产品规格:RFICP 100
产品详情

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以达到 400 mA. KRI RFICP 100 技术参数

阳极

电感耦合等离子体 射频自动匹配

最大阳极功率

600W

最大离子束流

> 300mA

电压范围

100-1200V

离子束动能

100-1200eV

气体

Ar, O2, N2,其他

流量

5-20 sccm

压力

< 0.5mTorr

离子光学, 自对准

OptiBeamTM

离子束栅极

10cm Φ

栅极材质

钼, 石墨

离子束流形状

平行,聚焦,散射

中和器

LFN 2000 or RFN

高度

23.5 cm

直径

19.1 cm

锁紧安装法兰

10”CF

KRI RFICP 100 应用领域 预清洗 表面改性 辅助镀膜(光学镀膜) IBAD, 溅镀和蒸发镀膜 PC 离子溅射沉积和多层结构 IBSD 离子蚀刻 IBE 客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下 射频离子源 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产, 和. 美国历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国中国总代理. 若您需要进一步的了解 , 请联络 伯东叶女士 1391-883-7267 上海伯东版权所有, 翻拷必究!

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