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美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 75

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伯东企业(上海)有限公司
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已认证
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已核验
经营模式:
经销批发
所在地区:
上海 浦东新区
公司地址:
上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室
参数规则
产品品牌:
产品型号:KDC 75
产品规格:
产品详情

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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼 KDC 75: 紧凑栅极, 离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用, KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.

KRI 考夫曼 KDC 75 技术参数 通过加热灯丝产生电子, 是典型的, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD.

型号

KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)

供电

DC magnetic confinement

- 阴极灯丝

2

- 阳极电压

0-100V DC

电子束

OptiBeam™

- 栅极

专用, 自对准

-栅极直径

7.5 cm

中和器

灯丝

电源控制

KSC 1212 或 KSC 1202

配置

-

- 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000

- 安装

移动或快速法兰

- 高度

7.9'

- 直径

5.5'

- 离子束

聚焦 平行 散设

-加工材料

金属 电介质 半导体

-工艺气体

惰性 活性 混合

-安装距离

6-24”

- 自动控制

控制4种气体

* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架 KRI 考夫曼 KDC 75 应用领域 溅镀和蒸发镀膜 PC 辅助镀膜(光学镀膜)IBAD 表面改性, 激活 SM 离子溅射沉积和多层结构 IBSD 离子蚀刻 IBE KRi KDC 典型案例: 设备: e-beam 电子束蒸发系统 离子源型号: KDC 75 应用: IBAD 辅助镀膜, 在玻璃上镀上高反射率膜 (光栅的镀膜) 离子源对工艺过程的优化: 无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积

IBAD辅助镀膜 若您需要进一步的了解 KRi , 请联络 伯东叶女士 1391-883-7267 上海伯东版权所有, 翻拷必究!

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