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上海伯东美国 KRi 离子源 KDC 10 是 KRi 栅极型离子源 Gridded 系列最小的型号. 非常适合安装在较小的真空系统中进行预清洗, 离子束溅射和离子蚀刻工艺. 在 <1000eV 低能量下, 通 Ar 氩气时离子蚀刻的能力显著提高. KDC 10 离子源低损伤, 宽束设计, 低成本高效能等优点广泛应用在显微镜样品制备领域, 标准配置下 KDC 10 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 10mA.
KRi 考夫曼 KDC 10 技术参数
| 型号 |
KDC 10 |
| 供电 |
DC magnetic confinement |
| - 阴极灯丝 |
1 |
| - 阳极电压 |
0-100V DC |
| - 栅极直径 |
1cm |
| 中和器 |
灯丝 |
| 电源控制 |
KSC 1202 |
| 配置 |
- |
| - 阴极中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
| - 架构 |
移动或快速法兰 |
| - 高度 |
4.5' |
| - 直径 |
1.52' |
| - 离子束 |
聚焦 平行 散射 |
| -加工材料 |
金属 电介质 半导体 |
| -工艺气体 |
惰性 活性 混合 |
| -安装距离 |
2-12” |
| - 自动控制 |
控制4种气体 |
KRi 考夫曼 KDC 10 应用领域
离子清洗, 显微镜抛光 IBP
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 10 硅片刻蚀应用
上海伯东协助某客户自主搭建离子束刻蚀机, 进行 1寸或2寸晶圆 (硅片) 刻蚀, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 10 进行晶圆的超精密加工, 后期用于研究高质量精密 x射线反射镜.
离子束刻蚀机真空腔体主要部件如下图所示, 主要是离子源, 运动台和晶圆支架. 因刻蚀晶圆直径比较小,推荐使用低成本高效能的美国 KRi 小型号考夫曼离子源 KDC 10, 离子源底座安装设计为可移动, 进行刻蚀工艺时, 工艺气体氩气, 通过离子源发出一个圆形的自对准聚焦离子束, 离子束移动, 而晶圆保持固定. 这种设计节省了腔室和整个系统的空间.
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